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onsemi NTH4L075N065SC1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | NTH4L075N065SC1 |
| EBEE部品番号 | E85209036 |
| パッケージ | TO-247-4L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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20 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.7320 | $ 8.7320 |
| 10+ | $7.4315 | $ 74.3150 |
| 30+ | $6.6398 | $ 199.1940 |
| 90+ | $5.9749 | $ 537.7410 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | onsemi NTH4L075N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 57mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 74W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.196nF | |
| Gate Charge(Qg) | 164nC |
ショッピングガイド
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
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| 1+ | $8.7320 | $ 8.7320 |
| 10+ | $7.4315 | $ 74.3150 |
| 30+ | $6.6398 | $ 199.1940 |
| 90+ | $5.9749 | $ 537.7410 |
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