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onsemi NTH4L060N090SC1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | NTH4L060N090SC1 |
| EBEE部品番号 | E82902169 |
| パッケージ | TO-247-4L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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10 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.4134 | $ 8.4134 |
| 10+ | $8.0378 | $ 80.3780 |
| 30+ | $7.3876 | $ 221.6280 |
| 90+ | $6.8195 | $ 613.7550 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | onsemi NTH4L060N090SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 84mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 11pF | |
| Pd - Power Dissipation | 221W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.77nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 113pF | |
| Gate Charge(Qg) | 87nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
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| 1+ | $8.4134 | $ 8.4134 |
| 10+ | $8.0378 | $ 80.3780 |
| 30+ | $7.3876 | $ 221.6280 |
| 90+ | $6.8195 | $ 613.7550 |
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