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onsemi NTH4L040N120M3S


メーカー
メーカー部品番号
NTH4L040N120M3S
EBEE部品番号
E819673849
パッケージ
TO-247-4
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
EAR99
説明
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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20 在庫あり 即時出荷可能
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1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$8.0766$ 8.0766
10+$6.9367$ 69.3670
30+$6.2429$ 187.2870
90+$5.6602$ 509.4180
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タイプ説明
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カテゴリSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
データシートonsemi NTH4L040N120M3S
RoHS
TypeN-Channel
RDS(on)54mΩ
Operating Temperature --55℃~+175℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)7pF
Pd - Power Dissipation231W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4.4V
Current - Continuous Drain(Id)54A
Ciss-Input Capacitance1.7nF
Output Capacitance(Coss)80pF
Gate Charge(Qg)75nC

ショッピングガイド

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