| メーカー | |
| メーカー部品番号 | NTH4L022N120M3S |
| EBEE部品番号 | E83281105 |
| パッケージ | TO-247-4L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $18.7378 | $ 18.7378 |
| 10+ | $16.7152 | $ 167.1520 |
| 30+ | $15.2975 | $ 458.9250 |
| 90+ | $14.0614 | $ 1265.5260 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | onsemi NTH4L022N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 352W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 68A |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $18.7378 | $ 18.7378 |
| 10+ | $16.7152 | $ 167.1520 |
| 30+ | $15.2975 | $ 458.9250 |
| 90+ | $14.0614 | $ 1265.5260 |
