| メーカー | |
| メーカー部品番号 | MDDG1C120R080K3 |
| EBEE部品番号 | E822370504 |
| パッケージ | TO-247-3L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | None |
| 説明 | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1546 | $ 17.1546 |
| 200+ | $6.8447 | $ 1368.9400 |
| 450+ | $6.6162 | $ 2977.2900 |
| 900+ | $6.5045 | $ 5854.0500 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | - | |
| パワーディシパレーション | - | |
| トータルゲートチャージ | - | |
| 連続的な排水の流れ | 36A | |
| 逆の移動容量 | - | |
| 入力容量 | - | |
| 設定 | - | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| ドレインソース オンステート抵抗(15V) | - | |
| 排水源のオン州抵抗(18V) | - | |
| 排水源のオン州抵抗(20V) | - | |
| カプセル化されたタイプ | - | |
| 排水源のオン状態抵抗(10V) | - | |
| 排水源電圧 | 1200V | |
| 排水源の閾電圧 | - |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1546 | $ 17.1546 |
| 200+ | $6.8447 | $ 1368.9400 |
| 450+ | $6.6162 | $ 2977.2900 |
| 900+ | $6.5045 | $ 5854.0500 |
