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KNSCHA KN3M80120K
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | KN3M80120K |
| EBEE部品番号 | E85373190 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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8 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.0152 | $ 6.0152 |
| 10+ | $5.2035 | $ 52.0350 |
| 30+ | $4.7102 | $ 141.3060 |
| 120+ | $4.2953 | $ 515.4360 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | KNSCHA KN3M80120K | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 85mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 3.9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 920pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 57pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
ショッピングガイド
展開
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8 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.0152 | $ 6.0152 |
| 10+ | $5.2035 | $ 52.0350 |
| 30+ | $4.7102 | $ 141.3060 |
| 120+ | $4.2953 | $ 515.4360 |
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