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KNSCHA KN3M65017D


メーカー
メーカー部品番号
KN3M65017D
EBEE部品番号
E87432998
パッケージ
TO-247-3
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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27 在庫あり 即時出荷可能
27 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$3.0023$ 3.0023
10+$2.5573$ 25.5730
30+$2.2782$ 68.3460
120+$1.9930$ 239.1600
480+$1.8648$ 895.1040
1020+$1.8090$ 1845.1800
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
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カテゴリ炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET)
データシートKNSCHA KN3M65017D
RoHS
タイプN-Channel
設定-
RDS(オン)650mΩ@20V
動作温度 --55℃~+150℃
逆移動容量(Crss@Vds)1.8pF
Pd - Power Dissipation62W
Drain to Source Voltage1.7kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.6V
Current - Continuous Drain(Id)7A
Ciss-Input Capacitance194pF
Gate Charge(Qg)23nC

ショッピングガイド

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