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KNSCHA KN3M50120K


メーカー
メーカー部品番号
KN3M50120K
EBEE部品番号
E85373189
パッケージ
TO-247-4
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
-
説明
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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34 在庫あり 即時出荷可能
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1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$10.3255$ 10.3255
10+$8.9330$ 89.3300
30+$8.0851$ 242.5530
120+$7.3730$ 884.7600
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タイプ説明
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カテゴリ炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET)
データシートKNSCHA KN3M50120K
RoHS
RDS(オン)50mΩ
動作温度 --55℃~+175℃
逆移動容量(Crss@Vds)5.2pF
Pd - Power Dissipation344W
Drain to Source Voltage1.2kV
Current - Continuous Drain(Id)58A
Ciss-Input Capacitance2.75nF
Output Capacitance(Coss)106pF
Gate Charge(Qg)120nC

ショッピングガイド

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