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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | KN3M50120K |
| EBEE部品番号 | E85373189 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.3255 | $ 10.3255 |
| 10+ | $8.9330 | $ 89.3300 |
| 30+ | $8.0851 | $ 242.5530 |
| 120+ | $7.3730 | $ 884.7600 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | KNSCHA KN3M50120K | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 50mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 5.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 344W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.75nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.3255 | $ 10.3255 |
| 10+ | $8.9330 | $ 89.3300 |
| 30+ | $8.0851 | $ 242.5530 |
| 120+ | $7.3730 | $ 884.7600 |
