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InventChip IV2Q171R0D7
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IV2Q171R0D7 |
| EBEE部品番号 | E85806852 |
| パッケージ | TO-263-7 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>3 在庫あり 即時出荷可能
3 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9130 | $ 4.9130 |
| 10+ | $4.2077 | $ 42.0770 |
| 30+ | $3.7364 | $ 112.0920 |
| 100+ | $3.3126 | $ 331.2600 |
| 500+ | $3.1168 | $ 1558.4000 |
| 1000+ | $3.0296 | $ 3029.6000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | InventChip IV2Q171R0D7 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 850mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 39W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 285pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15.3pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC |
ショッピングガイド
展開
3 Stock for Shipping Fast
3 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9130 | $ 4.9130 |
| 10+ | $4.2077 | $ 42.0770 |
| 30+ | $3.7364 | $ 112.0920 |
| 100+ | $3.3126 | $ 331.2600 |
| 500+ | $3.1168 | $ 1558.4000 |
| 1000+ | $3.0296 | $ 3029.6000 |
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