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InventChip IV1Q12750O3
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IV1Q12750O3 |
| EBEE部品番号 | E82979250 |
| パッケージ | TO-220-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-220-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2578 | $ 5.2578 |
| 10+ | $4.5699 | $ 45.6990 |
| 50+ | $4.1625 | $ 208.1250 |
| 100+ | $3.7491 | $ 374.9100 |
| 500+ | $3.5575 | $ 1778.7500 |
| 1000+ | $3.4715 | $ 3471.5000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | InventChip IV1Q12750O3 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 66.9W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.4A |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2578 | $ 5.2578 |
| 10+ | $4.5699 | $ 45.6990 |
| 50+ | $4.1625 | $ 208.1250 |
| 100+ | $3.7491 | $ 374.9100 |
| 500+ | $3.5575 | $ 1778.7500 |
| 1000+ | $3.4715 | $ 3471.5000 |
