| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IV1Q12050D7Z |
| EBEE部品番号 | E85806847 |
| パッケージ | TO-263-7 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.6810 | $ 13.6810 |
| 10+ | $13.2741 | $ 132.7410 |
| 30+ | $12.9483 | $ 388.4490 |
| 90+ | $12.6654 | $ 1139.8860 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | InventChip IV1Q12050D7Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.6810 | $ 13.6810 |
| 10+ | $13.2741 | $ 132.7410 |
| 30+ | $12.9483 | $ 388.4490 |
| 90+ | $12.6654 | $ 1139.8860 |
