| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IV1Q07015T4G |
| EBEE部品番号 | E85806844 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1571 | $ 31.1571 |
| 3+ | $30.6437 | $ 91.9311 |
| 30+ | $29.1033 | $ 873.0990 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | InventChip IV1Q07015T4G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 750V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1571 | $ 31.1571 |
| 3+ | $30.6437 | $ 91.9311 |
| 30+ | $29.1033 | $ 873.0990 |
