| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IV1Q06060T3G |
| EBEE部品番号 | E85806838 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.9598 | $ 11.9598 |
| 10+ | $10.2769 | $ 102.7690 |
| 30+ | $8.8867 | $ 266.6010 |
| 90+ | $8.0254 | $ 722.2860 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | InventChip IV1Q06060T3G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 650V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.9598 | $ 11.9598 |
| 10+ | $10.2769 | $ 102.7690 |
| 30+ | $8.8867 | $ 266.6010 |
| 90+ | $8.0254 | $ 722.2860 |
