Recommonended For You
画像は参考のみです
お気に入りに追加
Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMZA65R072M1HXKSA1 |
| EBEE部品番号 | E83029556 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>53 在庫あり 即時出荷可能
53 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.3087 | $ 6.3087 |
| 10+ | $5.7945 | $ 57.9450 |
| 30+ | $5.6403 | $ 169.2090 |
| 90+ | $5.5117 | $ 496.0530 |
数量が多い場合の最良価格？
$
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 94mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 96W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 744pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 112pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
ショッピングガイド
展開
53 Stock for Shipping Fast
53 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.3087 | $ 6.3087 |
| 10+ | $5.7945 | $ 57.9450 |
| 30+ | $5.6403 | $ 169.2090 |
| 90+ | $5.5117 | $ 496.0530 |
数量が多い場合の最良価格？
$
