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Infineon Technologies IMZA65R027M1H
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMZA65R027M1H |
| EBEE部品番号 | E8536297 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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218 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0515 | $ 9.0515 |
| 10+ | $7.8448 | $ 78.4480 |
| 30+ | $7.1097 | $ 213.2910 |
| 90+ | $6.4921 | $ 584.2890 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMZA65R027M1H | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 34mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 22pF | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 59A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.131nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 317pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
ショッピングガイド
展開
218 Stock for Shipping Fast
218 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0515 | $ 9.0515 |
| 10+ | $7.8448 | $ 78.4480 |
| 30+ | $7.1097 | $ 213.2910 |
| 90+ | $6.4921 | $ 584.2890 |
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