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Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMZA120R007M1HXKSA1 |
| EBEE部品番号 | E86061986 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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5 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $53.3716 | $ 53.3716 |
| 30+ | $50.6118 | $ 1518.3540 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 7mΩ@18V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 420pF | |
| Pd - Power Dissipation | 750W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 225A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.17nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 61pF | |
| Gate Charge(Qg) | 289nC |
ショッピングガイド
展開
5 Stock for Shipping Fast
5 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $53.3716 | $ 53.3716 |
| 30+ | $50.6118 | $ 1518.3540 |
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