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Infineon Technologies IMZ120R090M1H
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMZ120R090M1H |
| EBEE部品番号 | E8536293 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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61 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4537 | $ 9.4537 |
| 10+ | $9.0531 | $ 90.5310 |
| 30+ | $8.8073 | $ 264.2190 |
| 90+ | $8.6023 | $ 774.2070 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMZ120R090M1H | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | 90mΩ@18V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 115W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 26A | |
| Ciss-Input Capacitance | 707pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 39pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC |
ショッピングガイド
展開
61 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4537 | $ 9.4537 |
| 10+ | $9.0531 | $ 90.5310 |
| 30+ | $8.8073 | $ 264.2190 |
| 90+ | $8.6023 | $ 774.2070 |
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