Recommonended For You
画像は参考のみです
お気に入りに追加
Infineon Technologies IMZ120R060M1H
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMZ120R060M1HXKSA1 |
| EBEE部品番号 | E8536292 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>2597 在庫あり 即時出荷可能
2597 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9838 | $ 4.9838 |
| 10+ | $4.2598 | $ 42.5980 |
| 30+ | $3.8296 | $ 114.8880 |
| 90+ | $3.3945 | $ 305.5050 |
| 510+ | $3.1945 | $ 1629.1950 |
| 990+ | $3.1040 | $ 3072.9600 |
数量が多い場合の最良価格？
$
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMZ120R060M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 60mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.06nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 31nC |
ショッピングガイド
展開
2597 Stock for Shipping Fast
2597 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9838 | $ 4.9838 |
| 10+ | $4.2598 | $ 42.5980 |
| 30+ | $3.8296 | $ 114.8880 |
| 90+ | $3.3945 | $ 305.5050 |
| 510+ | $3.1945 | $ 1629.1950 |
| 990+ | $3.1040 | $ 3072.9600 |
数量が多い場合の最良価格？
$
