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Infineon Technologies IMZ120R030M1HXKSA1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMZ120R030M1HXKSA1 |
| EBEE部品番号 | E83289091 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-4-1 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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48 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.4510 | $ 13.4510 |
| 10+ | $11.7950 | $ 117.9500 |
| 30+ | $10.7852 | $ 323.5560 |
| 90+ | $9.9390 | $ 894.5100 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMZ120R030M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 30mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 56A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.12nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 116pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
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| 1+ | $13.4510 | $ 13.4510 |
| 10+ | $11.7950 | $ 117.9500 |
| 30+ | $10.7852 | $ 323.5560 |
| 90+ | $9.9390 | $ 894.5100 |
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