| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMW65R039M1HXKSA1 |
| EBEE部品番号 | E83278949 |
| パッケージ | TO-247-3-41 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9420 | $ 12.9420 |
| 10+ | $11.2931 | $ 112.9310 |
| 30+ | $10.2863 | $ 308.5890 |
| 100+ | $9.4422 | $ 944.2200 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMW65R039M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| パワーディシパレーション | 176W | |
| 連続的な排水の流れ | 46A | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| 排水源電圧 | 650V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9420 | $ 12.9420 |
| 10+ | $11.2931 | $ 112.9310 |
| 30+ | $10.2863 | $ 308.5890 |
| 100+ | $9.4422 | $ 944.2200 |
