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Infineon Technologies IMW65R039M1HXKSA1


メーカー
メーカー部品番号
IMW65R039M1HXKSA1
EBEE部品番号
E83278949
パッケージ
TO-247-3-41
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
EAR99
説明
TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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在庫あり: 445
最小: 1倍数: 1
単価
$ 12.9420
合計価格
$ 12.9420
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$12.9420$ 12.9420
10+$11.2931$ 112.9310
30+$10.2863$ 308.5890
100+$9.4422$ 944.2200
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
すべて選択
カテゴリ炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET)
データシートInfineon Technologies IMW65R039M1HXKSA1
RoHS
パワーディシパレーション176W
連続的な排水の流れ46A
チャネルのタイプ1 N-Channel
排水源電圧650V

ショッピングガイド

展開