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Infineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMW120R350M1HXKSA1 |
| EBEE部品番号 | E82997926 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>3 在庫あり 即時出荷可能
3 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3651 | $ 5.3651 |
| 10+ | $4.5365 | $ 45.3650 |
| 30+ | $4.0455 | $ 121.3650 |
| 90+ | $3.5468 | $ 319.2120 |
| 510+ | $3.3176 | $ 1691.9760 |
| 990+ | $3.2138 | $ 3181.6620 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 350mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 182pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 10pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.3nC |
ショッピングガイド
展開
3 Stock for Shipping Fast
3 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3651 | $ 5.3651 |
| 10+ | $4.5365 | $ 45.3650 |
| 30+ | $4.0455 | $ 121.3650 |
| 90+ | $3.5468 | $ 319.2120 |
| 510+ | $3.3176 | $ 1691.9760 |
| 990+ | $3.2138 | $ 3181.6620 |
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