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Infineon Technologies IMW120R060M1H
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMW120R060M1H |
| EBEE部品番号 | E8536281 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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523 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.3127 | $ 6.3127 |
| 10+ | $5.3803 | $ 53.8030 |
| 30+ | $4.8117 | $ 144.3510 |
| 90+ | $4.3345 | $ 390.1050 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMW120R060M1H | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 60mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.06nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 31nC |
ショッピングガイド
展開
523 Stock for Shipping Fast
523 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.3127 | $ 6.3127 |
| 10+ | $5.3803 | $ 53.8030 |
| 30+ | $4.8117 | $ 144.3510 |
| 90+ | $4.3345 | $ 390.1050 |
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