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Infineon Technologies IMW120R030M1H
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMW120R030M1H |
| EBEE部品番号 | E8536280 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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319 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8098 | $ 13.8098 |
| 10+ | $12.7746 | $ 127.7460 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMW120R030M1H | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 30mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 56A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
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| 1+ | $13.8098 | $ 13.8098 |
| 10+ | $12.7746 | $ 127.7460 |
| 30+ | $11.8236 | $ 354.7080 |
| 90+ | $10.9916 | $ 989.2440 |
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