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Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMBG120R045M1HXTMA1 |
| EBEE部品番号 | E83279262 |
| パッケージ | TO-263-7-12 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-263-7-12 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
もっと見る >>2 在庫あり 即時出荷可能
2 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.2809 | $ 13.2809 |
| 10+ | $12.6657 | $ 126.6570 |
| 30+ | $11.6009 | $ 348.0270 |
| 100+ | $10.6711 | $ 1067.1100 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 45mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 7.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 47A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.527nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC |
ショッピングガイド
展開
2 Stock for Shipping Fast
2 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.2809 | $ 13.2809 |
| 10+ | $12.6657 | $ 126.6570 |
| 30+ | $11.6009 | $ 348.0270 |
| 100+ | $10.6711 | $ 1067.1100 |
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