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Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IMBF170R650M1XTMA1 |
| EBEE部品番号 | E83289295 |
| パッケージ | TO-263-7-13 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-263-7-13 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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46 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.0394 | $ 5.0394 |
| 10+ | $4.3265 | $ 43.2650 |
| 30+ | $3.9026 | $ 117.0780 |
| 100+ | $3.4739 | $ 347.3900 |
| 500+ | $3.2770 | $ 1638.5000 |
| 1000+ | $3.1865 | $ 3186.5000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 650mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 1.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 88W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 422pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 12pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8nC |
ショッピングガイド
展開
46 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.0394 | $ 5.0394 |
| 10+ | $4.3265 | $ 43.2650 |
| 30+ | $3.9026 | $ 117.0780 |
| 100+ | $3.4739 | $ 347.3900 |
| 500+ | $3.2770 | $ 1638.5000 |
| 1000+ | $3.1865 | $ 3186.5000 |
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