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Infineon Technologies AIMW120R060M1HXKSA1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | AIMW120R060M1HXKSA1 |
| EBEE部品番号 | E83278942 |
| パッケージ | TO-247-3-41 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8201 | $ 21.8201 |
| 10+ | $20.8394 | $ 208.3940 |
| 30+ | $19.1410 | $ 574.2300 |
| 100+ | $17.6584 | $ 1765.8400 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies AIMW120R060M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8201 | $ 21.8201 |
| 10+ | $20.8394 | $ 208.3940 |
| 30+ | $19.1410 | $ 574.2300 |
| 100+ | $17.6584 | $ 1765.8400 |
