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Infineon Technologies AIMW120R035M1HXKSA1
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | AIMW120R035M1HXKSA1 |
| EBEE部品番号 | E83289085 |
| パッケージ | TO-247-3-41 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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5 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $34.6586 | $ 34.6586 |
| 30+ | $32.8355 | $ 985.0650 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Infineon Technologies AIMW120R035M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 35mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 11pF | |
| Pd - Power Dissipation | 228W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 52A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 107pF | |
| Gate Charge(Qg) | 59nC |
ショッピングガイド
展開
5 Stock for Shipping Fast
5 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $34.6586 | $ 34.6586 |
| 30+ | $32.8355 | $ 985.0650 |
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