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HXY MOSFET HC3M0045065D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC3M0045065D |
| EBEE部品番号 | E822449546 |
| パッケージ | TO-247 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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55 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.3723 | $ 9.3723 |
| 10+ | $8.0547 | $ 80.5470 |
| 30+ | $7.2514 | $ 217.5420 |
| 90+ | $6.5779 | $ 592.0110 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | HXY MOSFET HC3M0045065D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 33mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 49A |
ショッピングガイド
展開
55 Stock for Shipping Fast
55 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.3723 | $ 9.3723 |
| 10+ | $8.0547 | $ 80.5470 |
| 30+ | $7.2514 | $ 217.5420 |
| 90+ | $6.5779 | $ 592.0110 |
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