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HXY MOSFET HC3M0021120D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC3M0021120D |
| EBEE部品番号 | E841428807 |
| パッケージ | TO-247 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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10 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $18.0031 | $ 18.0031 |
| 10+ | $17.1521 | $ 171.5210 |
| 30+ | $15.6784 | $ 470.3520 |
| 90+ | $14.3916 | $ 1295.2440 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | HXY MOSFET HC3M0021120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | - | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 12pF | |
| Pd - Power Dissipation | 469W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 81A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.818nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $18.0031 | $ 18.0031 |
| 10+ | $17.1521 | $ 171.5210 |
| 30+ | $15.6784 | $ 470.3520 |
| 90+ | $14.3916 | $ 1295.2440 |
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