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HXY MOSFET HC3M00160120D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC3M00160120D |
| EBEE部品番号 | E822449549 |
| パッケージ | TO-247 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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4 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9658 | $ 4.9658 |
| 10+ | $4.2666 | $ 42.6660 |
| 30+ | $3.8412 | $ 115.2360 |
| 90+ | $3.4831 | $ 313.4790 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | HXY MOSFET HC3M00160120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A |
ショッピングガイド
展開
4 Stock for Shipping Fast
4 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9658 | $ 4.9658 |
| 10+ | $4.2666 | $ 42.6660 |
| 30+ | $3.8412 | $ 115.2360 |
| 90+ | $3.4831 | $ 313.4790 |
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