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HXY MOSFET HC3M0015065D
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | HC3M0015065D |
| EBEE部品番号 | E819723863 |
| パッケージ | TO-247 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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139 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0383 | $ 11.0383 |
| 10+ | $10.5120 | $ 105.1200 |
| 30+ | $9.5997 | $ 287.9910 |
| 90+ | $8.8040 | $ 792.3600 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| データシート | HXY MOSFET HC3M0015065D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 21mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 31pF | |
| Pd - Power Dissipation | 416W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 501pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 289pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
ショッピングガイド
展開
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| 1+ | $11.0383 | $ 11.0383 |
| 10+ | $10.5120 | $ 105.1200 |
| 30+ | $9.5997 | $ 287.9910 |
| 90+ | $8.8040 | $ 792.3600 |
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