| メーカー | |
| メーカー部品番号 | G3R30MT12J |
| EBEE部品番号 | E83291163 |
| パッケージ | TO-263-7 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $54.5179 | $ 54.5179 |
| 200+ | $21.0991 | $ 4219.8200 |
| 500+ | $20.3570 | $ 10178.5000 |
| 1000+ | $19.9905 | $ 19990.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J | |
| RoHS | ||
| パワーディシパレーション | 459W | |
| 連続的な排水の流れ | 96A | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| 排水源電圧 | 1200V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $54.5179 | $ 54.5179 |
| 200+ | $21.0991 | $ 4219.8200 |
| 500+ | $20.3570 | $ 10178.5000 |
| 1000+ | $19.9905 | $ 19990.5000 |
