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GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K


メーカー
メーカー部品番号
G3R12MT12K
EBEE部品番号
E86048360
パッケージ
TO-247-4
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
EAR99
説明
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
この材料はカスタムケーブルをサポートしています!
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連絡先名
ビジネスメール
会社名
品質
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$163.6173$ 163.6173
210+$65.2846$ 13709.7660
510+$63.1045$ 32183.2950
990+$62.0259$ 61405.6410
タイプ説明
すべて選択
カテゴリ炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET)
データシートGeneSiC Semiconductor G3R12MT12K
RoHS
パワーディシパレーション567W
連続的な排水の流れ157A
チャネルのタイプ1 N-Channel
排水源電圧1200V

ショッピングガイド

展開