| メーカー | |
| メーカー部品番号 | G3R12MT12K |
| EBEE部品番号 | E86048360 |
| パッケージ | TO-247-4 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $163.6173 | $ 163.6173 |
| 210+ | $65.2846 | $ 13709.7660 |
| 510+ | $63.1045 | $ 32183.2950 |
| 990+ | $62.0259 | $ 61405.6410 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K | |
| RoHS | ||
| パワーディシパレーション | 567W | |
| 連続的な排水の流れ | 157A | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| 排水源電圧 | 1200V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $163.6173 | $ 163.6173 |
| 210+ | $65.2846 | $ 13709.7660 |
| 510+ | $63.1045 | $ 32183.2950 |
| 990+ | $62.0259 | $ 61405.6410 |
