| メーカー | |
| メーカー部品番号 | G2R1000MT33J |
| EBEE部品番号 | E83291150 |
| パッケージ | TO-263-7 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $44.5110 | $ 44.5110 |
| 200+ | $17.2252 | $ 3445.0400 |
| 500+ | $16.6208 | $ 8310.4000 |
| 1000+ | $16.3215 | $ 16321.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃ | |
| パワーディシパレーション | 74W | |
| トータルゲートチャージ | 18nC | |
| 連続的な排水の流れ | 5A | |
| 逆の移動容量 | 2.4pF | |
| 入力容量 | 238pF | |
| 出力容量 | 10pF | |
| 設定 | - | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| ドレインソース オンステート抵抗(15V) | - | |
| 排水源のオン州抵抗(18V) | - | |
| 排水源のオン州抵抗(20V) | 1000mΩ | |
| カプセル化されたタイプ | Single Tube | |
| 排水源のオン状態抵抗(10V) | - | |
| 排水源電圧 | 3300V | |
| 排水源の閾電圧 | 3.5V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $44.5110 | $ 44.5110 |
| 200+ | $17.2252 | $ 3445.0400 |
| 500+ | $16.6208 | $ 8310.4000 |
| 1000+ | $16.3215 | $ 16321.5000 |
