| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CMS120N080B |
| EBEE部品番号 | E829781281 |
| パッケージ | TO-263-7 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $21.6691 | $ 21.6691 |
| 10+ | $20.8173 | $ 208.1730 |
| 30+ | $19.3401 | $ 580.2030 |
| 100+ | $18.0516 | $ 1805.1600 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | Bruckewell CMS120N080B | |
| RoHS | ||
| パワーディシパレーション | 188W | |
| トータルゲートチャージ | 61nC | |
| 連続的な排水の流れ | 35A | |
| 設定 | - | |
| チャネルのタイプ | 1 N-Channel | |
| ドレインソース オンステート抵抗(15V) | - | |
| 排水源のオン州抵抗(18V) | - | |
| 排水源のオン州抵抗(20V) | 77mΩ | |
| カプセル化されたタイプ | - | |
| 排水源のオン状態抵抗(10V) | - | |
| 排水源電圧 | 1200V | |
| 排水源の閾電圧 | 4V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $21.6691 | $ 21.6691 |
| 10+ | $20.8173 | $ 208.1730 |
| 30+ | $19.3401 | $ 580.2030 |
| 100+ | $18.0516 | $ 1805.1600 |
