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ANHI ADR065N028AH
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | ADR065N028AH |
| EBEE部品番号 | E822470093 |
| パッケージ | TOLL |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | TOLL Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
この材料はカスタムケーブルをサポートしています！
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5 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0578 | $ 9.0578 |
| 10+ | $7.7829 | $ 77.8290 |
| 30+ | $7.0065 | $ 210.1950 |
| 100+ | $6.3540 | $ 635.4000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | 炭化ケイ素(SiC)デバイス ,炭化ケイ素界効果トランジスタ(MOSFET) | |
| データシート | ANHI ADR065N028AH | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 45mΩ | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 12.9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 294W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.333nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 226.7pF | |
| Gate Charge(Qg) | 97.6nC |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0578 | $ 9.0578 |
| 10+ | $7.7829 | $ 77.8290 |
| 30+ | $7.0065 | $ 210.1950 |
| 100+ | $6.3540 | $ 635.4000 |
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