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Tokmas CID18N65D5
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CID18N65D5 |
| Référence EBEE | E822446734 |
| Boîtier | DFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | DFN-8(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3450 | $ 1.3450 |
| 10+ | $1.1041 | $ 11.0410 |
| 30+ | $0.9717 | $ 29.1510 |
| 100+ | $0.8472 | $ 84.7200 |
| 500+ | $0.7818 | $ 390.9000 |
| 1000+ | $0.7515 | $ 751.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Fiche Technique | Tokmas CID18N65D5 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 100mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 125pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC |
Guide d’achat
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| 10+ | $1.1041 | $ 11.0410 |
| 30+ | $0.9717 | $ 29.1510 |
| 100+ | $0.8472 | $ 84.7200 |
| 500+ | $0.7818 | $ 390.9000 |
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