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GOSEMICON GBG65200NMAR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GBG65200NMAR |
| Référence EBEE | E828324645 |
| Boîtier | PDFN-9L(8x8) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | PDFN-9L(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de nitrure de gallium (GaN) ,Transistors GaN (GaN HEMT) | |
| Fiche Technique | GOSEMICON GBG65200NMAR | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 140mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 68pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.9nC |
Guide d’achat
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| 10+ | $1.1097 | $ 11.0970 |
| 30+ | $0.9824 | $ 29.4720 |
| 100+ | $0.8387 | $ 83.8700 |
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