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HXY MOSFET HCG65140DAA
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HCG65140DAA |
| Référence EBEE | E822396444 |
| Boîtier | DFN-8(8x8) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| 10+ | $2.4046 | $ 24.0460 |
| 30+ | $2.1726 | $ 65.1780 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de nitrure de gallium (GaN) ,Transistors GaN (GaN HEMT) | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HCG65140DAA | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 100mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 125pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC |
Guide d’achat
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| 30+ | $2.1726 | $ 65.1780 |
| 100+ | $1.9393 | $ 193.9300 |
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