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Tokmas CID12N65D(TOKMAS)
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CID12N65D(TOKMAS) |
| Référence EBEE | E821547657 |
| Boîtier | DFN-10(6x8) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | DFN-10(6x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0717 | $ 1.0717 |
| 10+ | $0.8733 | $ 8.7330 |
| 30+ | $0.7733 | $ 23.1990 |
| 100+ | $0.6748 | $ 67.4800 |
| 500+ | $0.6161 | $ 308.0500 |
| 1000+ | $0.5843 | $ 584.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de nitrure de gallium (GaN) ,Transistors GaN (GaN HEMT) | |
| Fiche Technique | Tokmas CID12N65D(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 138mΩ | |
| Température de fonctionnement | -40℃~+125℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11.5A | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF |
Guide d’achat
Développer
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