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HXY MOSFET HCG65200DAA
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HCG65200DAA |
| Référence EBEE | E822396442 |
| Boîtier | DFN-8(8x8) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7225 | $ 2.7225 |
| 10+ | $2.3276 | $ 23.2760 |
| 30+ | $2.0925 | $ 62.7750 |
| 100+ | $1.8552 | $ 185.5200 |
| 500+ | $1.7460 | $ 873.0000 |
| 1000+ | $1.6964 | $ 1696.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de nitrure de gallium (GaN) ,Transistors GaN (GaN HEMT) | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HCG65200DAA | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 160mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 1+ | $2.7225 | $ 2.7225 |
| 10+ | $2.3276 | $ 23.2760 |
| 30+ | $2.0925 | $ 62.7750 |
| 100+ | $1.8552 | $ 185.5200 |
| 500+ | $1.7460 | $ 873.0000 |
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