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Tokmas CID10N65E3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CID10N65E3 |
| Référence EBEE | E841369699 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-252 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Fiche Technique | Tokmas CID10N65E3 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 160mΩ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.4pF | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
Guide d’achat
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