| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CSD75207W15 |
| Référence EBEE | E8201968 |
| Boîtier | DSBGA-9 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 3.9A 45mΩ@4.5V,1A 700mW 0.8V@1A 2 P-Channel DSBGA-9 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4840 | $ 0.4840 |
| 10+ | $0.4732 | $ 4.7320 |
| 30+ | $0.4660 | $ 13.9800 |
| 100+ | $0.4606 | $ 46.0600 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | TI CSD75207W15 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 2 P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3.9A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 45mΩ@4.5V,1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 700mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 0.8V@1A | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 13.5pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 595pF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4840 | $ 0.4840 |
| 10+ | $0.4732 | $ 4.7320 |
| 30+ | $0.4660 | $ 13.9800 |
| 100+ | $0.4606 | $ 46.0600 |
