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Diodes Incorporated BSS8402DWQ-7
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSS8402DWQ-7 |
| Référence EBEE | E8460013 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 115mA 200mW 3.2Ω@5V,0.05A 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 5+ | $0.1554 | $ 0.7770 |
| 50+ | $0.1237 | $ 6.1850 |
| 150+ | $0.1101 | $ 16.5150 |
| 500+ | $0.0931 | $ 46.5500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | DIODES BSS8402DWQ-7 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2pF;12pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V;50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V;2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA;130mA | |
| Output Capacitance(Coss) | 11pF;25pF |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.1237 | $ 6.1850 |
| 150+ | $0.1101 | $ 16.5150 |
| 500+ | $0.0931 | $ 46.5500 |
| 3000+ | $0.0855 | $ 256.5000 |
| 6000+ | $0.0810 | $ 486.0000 |
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