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Diodes Incorporated DMN2019UTS-13
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DMN2019UTS-13 |
| Référence EBEE | E8260947 |
| Boîtier | TSSOP-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 5.4A 0.78W 18.5mΩ@10V,5.4A 950mV@250uA 2 N-Channel TSSOP-8 MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | DIODES DMN2019UTS-13 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 29pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 780mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 950mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.4A |
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