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Diodes Incorporated ZXMN3G32DN8TA
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ZXMN3G32DN8TA |
| Référence EBEE | E8151582 |
| Boîtier | SO-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 7.1A 0.028Ω@10V,7.1A 1.25W 1V@250uA 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | DIODES ZXMN3G32DN8TA | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | N-Channel | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 65pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.1A | |
| Output Capacitance(Coss) | 178pF |
Guide d’achat
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