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Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA


Fabricant
Référence Fabricant
ZXMN10A08DN8TA
Référence EBEE
E8461135
Boîtier
SO-8
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
100V 2.1A 0.25Ω@10V,3.2A 1.25W 2V@250uA 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS
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30+$0.3192$ 9.5760
100+$0.2979$ 29.7900
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1000+$0.2847$ 284.7000
2000+$0.2817$ 563.4000
4000+$0.2795$ 1118.0000
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays
Fiche TechniqueDIODES ZXMN10A08DN8TA
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
TypeN-Channel
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)14.2pF
Number2 N-Channel
Pd - Power Dissipation1.8W
Drain to Source Voltage100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2V
Current - Continuous Drain(Id)2.1A
Output Capacitance(Coss)28.2pF

Guide d’achat

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