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STMicroelectronics STS8DN6LF6AG
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STS8DN6LF6AG |
| Référence EBEE | E8155609 |
| Boîtier | SOIC-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 8A 24mΩ@10V,4A 3.2W 2.5V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1201 | $ 1.1201 |
| 10+ | $0.9320 | $ 9.3200 |
| 30+ | $0.8396 | $ 25.1880 |
| 100+ | $0.7455 | $ 74.5500 |
| 500+ | $0.6906 | $ 345.3000 |
| 1000+ | $0.6603 | $ 660.3000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | ST STS8DN6LF6AG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 24mΩ@10V,4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 3.2W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.34nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 27nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1201 | $ 1.1201 |
| 10+ | $0.9320 | $ 9.3200 |
| 30+ | $0.8396 | $ 25.1880 |
| 100+ | $0.7455 | $ 74.5500 |
| 500+ | $0.6906 | $ 345.3000 |
| 1000+ | $0.6603 | $ 660.3000 |
