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STMicroelectronics STS8DN3LLH5
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STS8DN3LLH5 |
| Référence EBEE | E82970954 |
| Boîtier | SOIC-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 10A 0.019Ω@10V,5A 2.7W 1V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5182 | $ 0.5182 |
| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | ST STS8DN3LLH5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 2 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.019Ω@10V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2.7W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 21pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 724pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 5.4nC@15V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5182 | $ 0.5182 |
| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
