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STMicroelectronics SH32N65DM6AG
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SH32N65DM6AG |
| Référence EBEE | E85268689 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 32A 208W 89mΩ@10V,23A 3.25V@250uA MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $52.5171 | $ 52.5171 |
| 200+ | $20.3235 | $ 4064.7000 |
| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Fiche Technique | ST SH32N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 32A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 89mΩ@10V,23A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 208W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3.25V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 0.3pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2211pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 47nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $52.5171 | $ 52.5171 |
| 200+ | $20.3235 | $ 4064.7000 |
| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
